세종캠퍼스

나노스핀연구실

나노스핀 연구실

나노스핀 연구실

연구실 소개

나노스핀 연구실(Nanospin Lab.)은 전자의 전하뿐만 아니라 전자가 가지고 있는 스핀을 이용하여 새로운 개념의 소자를 만드는 스핀트로닉스(Spintronics)를 연구하고 있습니다. 기존 전자소자기술은 반도체 안의 전하의 양을 조절하여 신호로 이용하지만, 스핀트로닉스(Spintronics)를 접목한 자기저항변화소자는 자성체가 갖는 자화방향에 따라 자기저항이 변하는 성질을 이용합니다. 정보저장기술 분야에서는 전원이 꺼지더라도 정보가 손실되지 않는 장점(비휘발성) 때문에 고집적 비휘발성 메모리인 자기메모리(MRAM)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 나노스핀 연구실에서는 이런 응용분야로서 활용 가능한 실험뿐만 아니라, 2D 혹은 계면에서의 스핀궤도결합이나 상변화에 대한 물리적인 현상을 연구하고 있습니다.

Tel : 044 860 1774
E-mail : mtjnano@gmail.com
Address : 세종특별자치시 세종로 2511 고려대학교 세종캠퍼스 과학기술관 323A호

연구분야 (Research Interest)

연구분야 (Research Interest)
Research Interest spintronics(spin + electronics)
Project Establishment of the spin-orbit interaction driven spintronics

연구실 구성원

현재

• 김동석 (Kim Dongseok : 박사과정) : elite4p@gamil.com
• 장영재 (Jang Youngjae : 석사과정) : phyjyj@gmail.com
• 김지민 (Kim Jimin : 석사과정) : idealjm88@gmail.com
• 김범진 (Kim Bumjin : 석사과정) : 0707bj@gmail.com
• 윤창진 (Yoon Changjin : 학부연구생) : ckdwlsckdwlsckd@gmail.com
• 김지호 (Kim Jiho : 학부연구생) : nanojiho@gmail.com

연구실 졸업생 (과정 : 졸업년도)

• 이진서 (Ph. D : 2011) - ABZYR(아비즈R) 선임연구원
• 주성중 (Ph. D : 2011) - KRISS 연구원
• 정구열 (Ph. D : 2014) - 하이닉스
• 조영준 (M.S. : 2005) - 삼성전자 과장
• 문지선 (M.S. : 2006) - 시카고 Argon lab
• 백지현 (M.S. : 2007)
• 김희성 (M.S. : 2008) - ABZYR
• 김영철 (M.S. : 2008) - I3system
• 박귀현 (M.S. : 2008) - 삼성전자 선임연구원
• 최성원 (M.S. : 2011) - LG 전자 연구원
• 한선일 (M.S. : 2012) - LG 이노텍 연구원
• 김종현 (M.S. : 2014) - LG 디스플레이 사원

연구실 연구업적

SCI Journal

⦁ Journal of Korean Physical Society(2015) - XPS and electron transport study of the paramagnetic dusting effect on MgO-based magnetic tunnel junctions
⦁ Journal of Korean Physical Society(2015) - Magnetostatic spin wave in a very thin CoFeB film grown on an amorphous FeZr buffer layer
⦁ J. Magn. Magn. Mater.(2015) - Perpendicular magnetization of CoFeB on top of an amorphous buffer layer
⦁ Appl. Phys. Lett.(2014) - Spin-filtering effect of thin Al2O3 barrier on tunneling magnetoresistance
⦁ Nature(2013) - Magnetic field controlled reconfigurable semiconductor logic
⦁ J. Nanosci. Nanotechno.(2013) - Fabrication of nano-sized magnetic tunnel junctions using lift-off process assisted by atomic force probe tip
⦁ Appl. Phys. Lett(2012) - Effect of oxidizing the ferromagnetic electrode in magnetic tunnel junctions on tunneling magnetorsistance
⦁ IEEE Trans. Magn.(2011) - Detection of Local Oersted Field Generated at the Junction Between Ferromagnetic Nanowire and Electrode
⦁ Phys. Rev. B(2011) - Magnetic oxide formation at Al2O3-Co84Fe16 interface in magnetic tunnel junction
⦁ Appl. Phys. Lett.(2011) - An electrical switching device controlled by a magnetic field-dependent impact ionization process